Micron και Intel τριπλασιάζουν τη χωρητικότητα των μνημών flash

3D NAND Flash Mermory από τις Intel και Micron

H Intel ανακοινώνει νέες τεχνολογίες στις μνήμες flash, σε συνεργασία με την Micron.

Ακολουθούν πληροφορίες από την ανακοίνωση της εταιρείας:

Τα κύρια σημεία της ανακοίνωσης, σύμφωνα με την Intel:

  • Η τεχνολογία 3D NAND χρησιμοποιεί κελιά μνήμης με τεχνολογία επιπλέουσας πύλης (floating gate cells) και επιτρέπει τη μεγαλύτερη πυκνότητα διατάξεων flash που έχουν αναπτυχθεί μέχρι σήμερα – προσφέροντας 4 φορές μεγαλύτερη χωρητικότητα1 σε σχέση με άλλες τεχνολογίες παραγωγής NAND
  • Επιτρέπει τη δημιουργία SSDs σε μέγεθος τσίχλας με περισσότερα από 3,5 TB χωρητικότητας και τυπικών διαστάσεων SSDs δίσκους 2,5ιντσών με χωρητικότητα μεγαλύτερη από 10TB
  • Καινοτόμες διαδικασίες κατασκευής επεκτείνουν το νόμο του Moore για την αποθήκευση flash, προσφέροντας σημαντικές βλετιώσεις στην πυκνότητα ενώ μειώνουν το κόστος της NAND flash
3D NAND Flash Mermory από τις Intel και Micron

Η ανακοίνωση συνεχίζει:

Η τεχνολογία flash είναι η τεχνολογία αποθήκευσης που χρησιμοποιούν οι πιο ελαφρείς φορητοί υπολογιστές, τα ταχύτερα data centers και σχεδόν κάθε κινητό τηλέφωνο, tablet και φορητή συσκευή.

Η νέα 3D NAND τεχνολογία, που αναπτύχθηκε με την αμοιβαία συνεργασία των Intel και Micron, χρησιμοποιεί επάλληλα στρώματα από κύτταρα αποθήκευσης δεδομένων κατακόρυφα με εντυπωσιακή ακρίβεια για τη δημιουργία συσκευών αποθήκευσης με χωρητικότητα 3 φορές μεγαλύτερη από ανταγωνιστικές τεχνολογίες NAND. Αυτό επιτρέπει μεγαλύτερη χωρητικότητα σε μικρότερο χώρο, προσφέροντας σημαντική εξοικονόμηση, χαμηλή κατανάλωση και υψηλές επιδόσεις σε μια σειρά καταναλωτικών συσκευών καθώς και στις πλέον απαιτητικές επιχειρηματικές εφαρμογές.

Η επίπεδη διαδικασία κατασκευής της μνήμης NAND flash πρακτικά πλησιάζει τα όρια της κλιμάκωσής της, θέτοντας σημαντικούς περιορισμούς στους κατασκευαστές μνήμης. Η τεχνολογία 3D NAND στοχεύει στη δημιουργία ενός σημαντικού αντίκτυπου, διατηρώντας τις λύσεις τεχνολογίας αποθήκευσης flash, συνεπείς με το νόμο του Moore, στην πορεία για συνεχή άνοδο επιδόσεων και εξοικονόμησης κόστους, οδηγώντας σε μια ευρεία χρήση της τεχνολογίας flash.

«Η συνεργασία των Micron και Intel έχει δημιουργήσει μια ηγετική τεχνολογία αποθήκευσης στερεάς κατάστασης που προσφέρει υψηκή πυκνότητα, επιδόσεις και αποδοτικότητα που είναι αξεπέραστη από οποιοαδήποτε άλλη τεχνολογία flash σήμερα» ανέφερε ο Brian Shirley, αντιπρόεδρος του τμήματος Memory technology and Solutions στην Micron Technology. «Η συγκεκριμένη τεχνολογία 3D NAND έχει την προοπτική να δημιουργήσει θεμελιώδεις αλλαγές στην αγορά. Ο βαθμός της σπουδαιότητας της μνήμης flash μέχρι σήμερα – από τα smartphones έως τους βελτιστοπoιημένους με τεχνολογία flash υπερυπολογιστές- είναι πράγματι αυτό που φαίνεται μόνο στην επιφάνεια σε σχέση με ό,τι είναι δυνατό.»

«Οι προσπάθεις της Intel για την ανάπτυξη της τεχνολογίας με τη Micron, αντανακλούν τη συνεχή μας δέσμευση για να προσφέρουμε κορυφαίες και καινοτόμες τεχνολογίες μη πτητικών μνημών στην αγορά» ανέφερε ο Bob Crooke, senior vice president και general manager, στο Non-Volatile Memory Solutions Group της Intel. «Οι σημαντικές βελτιώσεις στην πυκνότητα και το κόστος που επιτυγχάνονται από τις καινοτομίες μας στη νέα τεχνολογία 3D NAND, θα επιταχύνουν την αποθήκευση στερεάς κατάστασης (solid state) σε διάφορες πλατφόρμες.»

Νέα διαδικασία κατασκευής

Μια από τις σημαντικότερες πτυχές της τεχνολογίας είναι η διαδικασία δημιουργίας των κελιών μνήμης, αναφέρει η Intel. Η Intel και η Micron επέλεξαν τη χρήση τεχνολογίας κελιού επιπλέουσας πύλης, μια τυπική σχεδίαση που έχει εξελιχθεί από την πολυετή παραγωγή flash με επίπεδη διαδικασία σε μεγάλους όγκους παραγωγής. Αυτή είναι η πρώτη χρήση τεχνολογίας κελιού επιπλέουσας πύλης σε 3D NAND, και αποτελεί μια θεμελιώδη επιλογή σχεδίασης που επιτρέπει ανώτερες επειδόσεις και αυξημένη ποιότητα και αξιοπιστία.

Η νέα τεχνολογία 3D NAND τοποθετεί τα κελιά κάθετα σε 32 επίπεδα για να επιτύχει 256Gb multilevel cell (MLC) και 384 Gb triple-level cell (TLC) που μπορεί να τοποθετηθούν σε μια τυποποιημένη συσκευασία. Αυτές οι χωρητικότητες επιτρέπουν διατάξεις SSDs σε μέγεθος τσίχλας με περισσότερα από 3.5TB χωρητικότητας και τυπικής μορφής SSD δίσκους μεγαλύτερους των 10TB. Καθώς η χωρητικότητα επιτυγχάνεται με την τοποθέτηση κελιών μνήμης κατακόρυφα, οι διαστάσεις κάθε κελιού μπορεί να είναι σημαντικά μεγαλύτερες. Αυτό αναμένεται να αυξήσει τις επιδόσεις και την αντοχή και να καταστήσει ακόμα και τις TLC σχεδιάσεις κατάλληλες για τεχνολογία αποθήκευσης στο data center.

Τα θεμελιώδη προϊοντικά χαρακτηριστικά της νέας σχεδίασης 3D NAND περιλαμβάνουν, όπως τα δίνει η Intel:

• Μεγάλη Χωρητικότητα – Τρεις φορές την χωρητικότητα υφιστάμενης τεχνολογίας 3D, έως και 48GB NAND ανά die – που επιτρέπει ¾ ενός terabyte να περιλαμβάνονται σε μια συσκευασία σε μέγεθος δακτυλικού αποτυπώματος.

• Μειωμένο κόστος ανά GB – H πρώτη γενιά 3D NAND έχει σχεδιαστεί για να επιτύχει καλύτερη αποδοτικότητα κόστους από ό,τι η επίπεδη NAND.

• Ταχύτητα – Μεγάλο εύρος ζώνης σε ανάγνωση/εγγραφή, ταχύτητα I/O και σε τυχαία ανάγνωση.

• Οικολογική λειτουργία – Νέες καταστάσεις sleep επιτρέπουν τη χαμηλή κατανάλωση ενέργειας διακόπτοντας την ισχύ σε μη ενεργές περιοχές του NAND die (ακόμα και όταν άλλο die στην ίδια συσκευασία είναι ενεργό), περιορίζοντας σημαντικά την κατανάλωση ισχύος σε κατάσταση αναμονής λειτουργίας.

• Ευφυΐα – Καινοτόμα νέα χαρακτηριστικά βελτιώνουν το χρόνο καθυστέρησης (latency) και αυξάνουν την ανθεκτικότητα σε σχέση με παλαιότερες γενιές, ενώ καθιστούν πιο εύκολη την ενσωμάτωσή τους σε συστήματα.

• Δείγματα της έκδοδης MLC 356Gb της 3D NAND διατίθενται ήδη σε επιλεγμένους συνεργάτες, ενώ τα δείγματα της έκδοσης 384Gb TLC θα διατεθούν αργότερα εντός της άνοιξης. Η εργοσταστιακή παραγωγή έχει ήδη ξεκινήσει δοκιμές ενώ και οι δύο εκδόσεις θα βρίσκονται σε πλήρη παραγωγή έως το τέταρτο τρίμηνο του έτους. Οι δύο εταιρείες αναπτύσσουν επίσης ανεξάρτητες γραμμές για λύσεις SSD βασισμένες στην τεχνολογία 3D NAND ενώ τα σχετικά προϊόντα αναμένεται να διατεθούν εντός του επόμενου έτους.

Πηγη

Advertisements

Leave a Reply

Please log in using one of these methods to post your comment:

WordPress.com Logo

You are commenting using your WordPress.com account. Log Out / Change )

Twitter picture

You are commenting using your Twitter account. Log Out / Change )

Facebook photo

You are commenting using your Facebook account. Log Out / Change )

Google+ photo

You are commenting using your Google+ account. Log Out / Change )

Connecting to %s